RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link