RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link