RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link