RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link