RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link