RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link