RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
70
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
70
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link