RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link