RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link