RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link