RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link