RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link