RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
31
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link