RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link