RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link