RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link