RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
166
Wokół strony 86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
166
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link