RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
166
Около 86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
166
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link