RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
166
Около 86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
166
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link