Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 50
    Около 30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 15.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.1 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 10.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2502 left arrow 2512
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения