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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
50
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
50
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2502
2512
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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