Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

总分
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

总分
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    35 left arrow 50
    左右 30% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.3 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.9 left arrow 9.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    35 left arrow 50
  • 读取速度,GB/s
    15.1 left arrow 15.3
  • 写入速度,GB/s
    9.6 left arrow 10.9
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2502 left arrow 2512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较