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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
3,886.6
20.2
写入速度,GB/s
1,702.6
15.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
3559
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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