RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link