RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link