RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2750
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link