RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3593
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link