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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
18.5
写入速度,GB/s
7.5
14.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3593
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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