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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
2,936.9
15.5
写入速度,GB/s
1,884.0
9.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2202
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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