RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link