RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link