RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link