RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2306
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link