RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2263
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link