RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2263
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link