RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link