RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link