RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link