RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston KHX1866C11D3/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link