RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
69
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link