RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
69
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link