RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link