RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBSR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link