RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link