RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2674
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link