RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2674
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link