Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 46

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 23
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 17.2
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 3116

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

модули RAM