RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3193
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link