RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2760
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link