RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link