RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link