RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link