RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3421
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link