RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3514
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link